掺杂氮化铝中局域磁矩的第一性原理计算

• 作者: 全秀娥 杨红
• 来源期刊: 吉首大学学报（自然科学版）
• 学科: 数学
• 关键词: 稀磁半导体 氮化铝(AlN) 第一性原理
• 年，卷（期）: 2015,（3）
• 所属期刊栏目: 【物理与电子】
• 页码范围: 32-34
• 页数: 3页
• 分类号: O162
• 字数: 1148字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.cnki.jdxb.2015.03.008

摘要

理想的稀磁半导体具有良好的室温铁磁性，氮化铝（AlN）稀磁半导体虽然具有宽的带隙和透光性，但由实验重复性差等原因，一直未得到广泛的应用。采用基于密度泛函理论的第一性原理方法计算掺杂硼（B）的AlN中局域磁矩的变化规律。通过分析电子结构发现，掺杂B后的A lN稀磁半导体中出现了明显的局域磁矩，其大小为2μB 。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	全秀娥	吉首大学物理与机电工程学院	15	26	3.0	4.0
2	杨红	吉首大学物理与机电工程学院	10	6	1.0	1.0