一种量子阱结构发光器件的模拟与分析

• 作者: 刘艳艳 耿卫东 郭嘉
• 来源期刊: 南开大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: InN量子点 模型构建 器件仿真 电致发光光谱
• 年，卷（期）: 2015,（4）
• 页码范围: 32-36
• 页数: 5页
• 分类号: TN383
• 语种: 中文

摘要

基于Slivaco公司的TCAD软件构建一种新型量子点发光器件,以GaN基底作为电流传输层,在In-GaN量子阱中植入InN量子点,并对该器件的电致发光特性进行了仿真.得到了该器件的伏安特性曲线、电致发光光谱曲线,以及量子点尺寸对其发光光谱的影响.仿真结果表明,在外加电压超过3.2V时,发光层的电子和空穴会产生强烈的复合发光;从0.1～2nm改变量子点的尺寸,发射峰从461 nm移至481 nm,红移了20 nm,从2～10nm改变量子点尺寸,光谱基本没有变化.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郭嘉		7	33	3.0	5.0
2	耿卫东		56	345	11.0	16.0
3	刘艳艳		25	52	4.0	6.0