TFT-LCD过孔接触电阻研究

• 作者: 丁向前 王玉堂 白金超 袁剑峰 邵喜斌 郭总杰
• 来源期刊: 液晶与显示
• 学科: 工学
• 关键词: 薄膜晶体管阵列工艺 接触电阻 过孔设计优化
• 年，卷（期）: 2015,（3）
• 所属期刊栏目: .器件物理及器件制备技术.
• 页码范围: 432-436
• 页数: 5页
• 分类号: TN141.9
• 字数: 2743字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/YJYXS20153003.0432

摘要

研究了过孔接触电阻变化规律，并进行机理分析，为优化薄膜晶体管的过孔设计提供依据。首先，运用开尔文四线检测法对不同大小、形状、数量的钼/铝/钼结构的栅极和源/漏层金属与氧化铟锡连接过孔的接触电阻进行测试。然后，通过扫描电子显徽镜、能量色散 X射线光谱仪和聚焦离子束显徽镜对过孔内部形貌进行表征。最后，对过孔接触电阻变化规律进行机理分析。实验结果表明：过孔面积越大，接触电阻越小；过孔面积相同时，长方形过孔的接触电阻小于正方形过孔的接触电阻，多小孔的接触电阻小于单大孔的接触电阻，栅极金属与氧化铟锡的过孔接触电阻小于源/漏层金属与氧化铟锡的过孔接触电阻。为了降低钼/铝/钼与氧化铟锡连接过孔的接触电阻，过孔面积尽可能最大化，采用长方形过孔优于正方形过孔，多小过孔优于单大孔设计，同时优化过孔刻蚀工艺，减少过孔内顶层钼的损失。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	白金超		4	9	2.0	2.0
2	王玉堂		1	4	1.0	1.0
3	郭总杰		7	18	2.0	3.0
4	丁向前		3	7	2.0	2.0
5	袁剑峰		12	32	4.0	4.0
6	邵喜斌		13	27	3.0	4.0