Co原子浓度对Co-Mn-Si薄膜各向异性磁电阻及半金属性的影响

• 作者: 姚军 康泽威 李继辉 杨辅军 肖君 陈晓琴
• 来源期刊: 中国科学（技术科学）
• 关键词: 半金属 哈斯勒合金 各向异性磁电阻
• 年，卷（期）: 2015,（4）
• 所属期刊栏目: 论文
• 页码范围: 389-395
• 页数: 7页
• 语种: 中文
• DOI: 10.1360/N092014-00270

摘要

向原子比为2∶1∶1的Co-Mn-Si合金薄膜中掺杂Co原子,试图发现Co-Mn-Si合金薄膜半金属性的变化规律.通过制备系列不同成分Co-Mn-Si合金薄膜,并测试薄膜的各向异性磁电阻比.结果发现制备的Co50MnSi薄膜具有良好的B2结构,杂质及缺陷数量少(剩余电阻比大),各向异性磁电阻比为负值,从而具有良好的半金属属性.随着Co原子浓度的增加,Co-Mn-Si薄膜B2结构取向度降低,剩余电阻比减小,各向异性磁电阻比增大,其半金属属性随Co原子浓度的增加被逐渐破坏.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨辅军		6	7	1.0	2.0
2	陈晓琴		5	4	1.0	2.0
3	肖君		2	0	0.0	0.0
4	康泽威		1	0	0.0	0.0
5	姚军		1	0	0.0	0.0
6	李继辉		1	0	0.0	0.0