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摘要:
本论文采用一种传统的固相合成法制备Ga^3+掺杂Ni0.5Zn0.5Fe2-xGaxO4(x=0.0,0.1,0.2,0.3)铁氧体材料。采用XRD,SEM,VSM和4285B表征材料的结构和性能,并讨论了离子取代对材料性能的影响。在Ga^3+离子掺杂从0.0到0.3的变化过程中,材料保持了单一的尖晶石结构,没有出现其他杂相,晶粒逐渐增大,说明了Ga^3+具有促进材料晶粒生长的作用。铁氧体的饱和磁化强度Ms从58.35Am^2/kg下降到39.3Am0/kg,矫顽力Hc从42.68Oe升高到46.21Oe。同时,在1-30MHz频段内测试,材料的磁导率实部雌渐降低,截止频率保持不变;磁导率虚部μ'先降低后增加;同时材料的Q值逐渐降低,反映了材料的损耗随着Ga^3+离子的掺杂而逐渐升高。
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文献信息
篇名 Ga掺杂NiZn铁氧体的合成与性能表征
来源期刊 中国材料科技与设备 学科 工学
关键词 NIZN铁氧体 Ga掺杂 磁性能 固相合成法
年,卷(期) 2015,(2) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 29-31
页数 3页 分类号 TN04
字数 语种
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 贾利军 电子科技大学微电子与固体电子学院 52 245 9.0 11.0
2 张怀武 电子科技大学微电子与固体电子学院 294 2211 20.0 32.0
3 王晗毓 电子科技大学微电子与固体电子学院 1 0 0.0 0.0
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NIZN铁氧体
Ga掺杂
磁性能
固相合成法
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期刊影响力
中国材料科技与设备
双月刊
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