氮化铝基陶瓷覆铜板的制作及其应用

• 作者: 吴济钧 李国刚 李磊 许立菊
• 来源期刊: 真空电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 氮化铝基陶瓷覆铜板 高温氧化工艺 高温键合工艺 电力半导体模块 化学氧化工艺 铜箔 氮化铝陶瓷基片
• 年，卷（期）: 2015,（6）
• 所属期刊栏目: 工艺与应用
• 页码范围: 50-53
• 页数: 4页
• 分类号: TN105
• 字数: 2831字
• 语种: 中文

摘要

AlN陶瓷是一种共价键较强的非氧化合物,具有良好的化学稳定性,因此AlN陶瓷很难在高温和氧气氛下与Cu直接键合制成氮化铝基陶瓷覆铜板(AlN DBC基板).若在AlN基片表面上预制一定厚度、且非常致密的Al2O3层后,就能借鉴Cu箔和Al2O3基片高温键合工艺制作性能优良的AlN DBC基板.本文简要阐述了银河公司在制作AlN DBC基板过程中采用的化学氧化法,高温氧化法,循环温差交替降温法,磁控溅射法等工艺技术,还简要介绍了本公司生产的AlN DBC基板的规格和主要技术参数及其在电力半导体模块中的应用实例.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吴济钧		8	16	3.0	4.0
2	李磊		1	3	1.0	1.0
3	李国刚		1	3	1.0	1.0
4	许立菊		1	3	1.0	1.0