CH3 OH 在 Ga －rich GaAs（001）－（4×2）表面上的吸附与解离：团簇模型的密度泛函计算

• 作者: 于锋 刘华成 张建生
• 来源期刊: 原子与分子物理学报
• 学科: 化学
• 关键词: Ga-rich GaAs(001)-(4×2)表面 CH3 OH 吸附 团簇模型 密度泛函理论
• 年，卷（期）: 2015,（4）
• 所属期刊栏目: ?团簇与纳米结构?
• 页码范围: 591-596
• 页数: 6页
• 分类号: O641
• 字数: 3781字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-0364.2015.08.011

摘要

采用简单团簇模型结合密度泛函理论研究了CH3 OH在Ga－rich GaAs（001）－（4×2）表面上的吸附与解离过程。计算结果表明， CH3 OH在Ga－rich GaAs（001）－（4×2）表面上首先会形成两种化学吸附状态，然后CH3 OH经解离生成CH3 O自由基和H原子吸附在表面不同位置上。通过比较各个吸附解离路径，发现解离后的H原子相对更容易吸附在位于表面第二层紧邻的As原子上。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张建生	西安工业大学理学院	59	517	11.0	20.0
2	于锋	西安工业大学理学院	3	1	1.0	1.0
3	刘华成	西安工业大学理学院	3	7	2.0	2.0