丁胺包裹的 CdSe 量子点敏化的 TiO2纳米晶薄膜电子转移机制

• 作者: 岳圆圆 张艳霞 李正顺 王岩 王海宇 王雷
• 来源期刊: 中国光学
• 学科: 工学
• 关键词: 量子点太阳能电池 半导体纳米晶 表面修饰 CdSe 热电子注入
• 年，卷（期）: 2015,（3）
• 所属期刊栏目: ?光学功能材料?
• 页码范围: 428-438
• 页数: 11页
• 分类号: TN249
• 字数: 6996字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/CO.20150803.0428

摘要

利用超快光谱技术系统研究了在丁胺包裹的CdSe量子点敏化的TiO2纳米晶薄膜起始时刻界面间电子转移动力学。与之前的报道不同，该实验结果表明：CdSe量子点经过表面修饰后，两相电子注入机制———热电子和冷电子注入得以被证实，即：电子能分别从CdSe量子点导带中高的振动能级和导带底转移到TiO2的导带。该机制详细描绘了电子在纳米界面间转移的图景。进一步研究发现：热电子注入的电子耦合强度（3．6±0．1 meV）比弛豫后的基态电子注入高两个数量级，基于Marcus理论，伴随着0．083 eV的重组能，冷电子注入的耦合强度值为～50μeV。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王岩	吉林大学物理学院	133	735	15.0	21.0
2	王海宇	吉林大学电子科学与工程学院	9	26	3.0	5.0
3	王雷	吉林大学电子科学与工程学院	76	204	8.0	9.0
4	李正顺	吉林大学电子科学与工程学院	2	11	2.0	2.0
5	岳圆圆	吉林大学电子科学与工程学院	1	7	1.0	1.0
6	张艳霞	吉林大学电子科学与工程学院	3	8	1.0	2.0