湿法去除N型硅硼扩散过程形成的富硼层

• 作者: 徐冠群 杨晓生 沈辉 龙腾江
• 来源期刊: 材料科学与工程学报
• 学科: 工学
• 关键词: N型硅 富硼层 湿法化学腐蚀
• 年，卷（期）: 2015,（1）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 9-12,35
• 分类号: TB321|O475|O472+.1
• 语种: 中文

摘要

硼扩散被广泛应用于n型硅基的p-n结制结工艺,然而硼扩散难免会在硅片表面形成一层很薄的的富硼层,该层由于富集无活性硼原子会严重影响电池性能.本研究制备HF-HNO3化学腐蚀液来去除富硼层,采用该方法去除富硼层后的硅片少子寿命从26.829μs增加到69.106μs;WCT-120测得一个光照下Vα从610mv增加到了625mv,发射极饱和电流密度显著降低;去除富硼层后的方块电阻均匀性表现良好,甚至比采用传统后氧化法更具优势.虽然反射率有细微增加,但是对于镀完氮化硅减反膜后腐蚀所带来的反射率升高只有0.13％,因此,认为该方法可以成功应用到富硼层的去除中.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨晓生	中国电子科技集团公司第四十八研究所国家光伏装备工程技术研究中心	5	27	2.0	5.0
2	龙腾江	中山大学物理科学与工程技术学院太阳能系统研究所	1	5	1.0	1.0
3	徐冠群	中山大学物理科学与工程技术学院太阳能系统研究所	2	5	1.0	2.0