H2S和CH3SH与硅锡烯加成反应的理论研究

• 作者: 张旭 曾小兰 王岩
• 来源期刊: 信阳师范学院学报（自然科学版）
• 学科: 化学
• 关键词: 硅锡烯 加成反应 反应机理 密度泛函理论 区域选择性
• 年，卷（期）: 2015,（4）
• 所属期刊栏目: ? 基础理论研究 ?
• 页码范围: 513-516
• 页数: 4页
• 分类号: O641
• 字数: 3889字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-0972.2015.04.012

摘要

采用密度泛函理论方法研究了 H2 S 及 CH3 SH 与硅锡烯的加成反应的微观机理和势能剖面．计算结果表明，所研究反应由多步机理组成且反应的初始步骤为 H2 S 或 CH3 SH 对硅锡烯的亲核进攻．反应过程中Si（Sn）－ S 键总是先于 Sn（Si）－ H 键形成．形成 Si － S 键的反应在动力学上比形成 Sn － S 键的反应有利，且主要由能量因素决定．CH3 SH 作为亲核反应试剂比 H2 S 更活泼．

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	曾小兰	信阳师范学院化学化工学院	45	135	5.0	9.0
2	王岩	信阳师范学院化学化工学院	42	66	4.0	5.0
3	张旭	信阳师范学院化学化工学院	1	2	1.0	1.0