锗硅烯与H 2 O加成反应的计算研究

• 作者: 曾小兰 王岩
• 来源期刊: 信阳师范学院学报（自然科学版）
• 学科: 化学
• 关键词: 锗硅烯 加成反应 反式弯曲结构 区域选择性
• 年，卷（期）: 2017,（4）
• 所属期刊栏目: 基础理论研究
• 页码范围: 553-556
• 页数: 4页
• 分类号: O641
• 字数: 4453字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-0972.2017.04.009

摘要

采用密度泛函理论方法研究了两种锗硅烯(H 2 Ge=SiH 2及Ph2 Ge=SiPh2)与H 2 O的加成反应的微观机理和势能剖面,分析了加成反应中区域选择性的起源.计算结果表明,H 2 O的单聚体、二聚体及三聚体均可作为亲核试剂与锗硅烯发生加成反应.形成Si—O键和Ge—O键的反应均为复杂反应,且Si(Ge)—O键比Ge(Si)—H键优先形成.加成反应的区域选择性由动力学因素决定.H 2 O作为亲核试剂的反应活性低于CH 3 OH.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	曾小兰	信阳师范学院化学化工学院	45	135	5.0	9.0
2	王岩	信阳师范学院化学化工学院	42	66	4.0	5.0