热处理对微型磁致伸缩材料传感器磁性能的影响

• 作者: 叶雪梅 胡佳佳 胡静
• 来源期刊: 常州大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 磁致伸缩材料 传感器 MEMS 退火 内应力
• 年，卷（期）: 2015,（2）
• 所属期刊栏目: 材料科学与工程
• 页码范围: 35-38
• 页数: 4页
• 分类号: TG75.5
• 字数: 2339字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.2095-0411.2015.02.008

摘要

采用MEMS技术制备了尺寸为500μm×100μm×15μm的微尺度磁致伸缩材料传感器,发现MEMS技术沉积过程中传感器内部不可避免地产生了内应力,对传感器磁性能带来不利影响.对徽尺度磁致伸缩材料传感器进行真空热处理,旨在消除内应力,进一步提高传感器磁学性能.结果表明:真空退火可减小或消除传感器内应力,提高磁学性能,其中最佳退火温度为250℃,时间为2h.该温度下退火不仅可完全释放传感器内应力,还可以改善波谱质量,提高共振频率.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	叶雪梅	常州大学材料科学与工程学院	6	18	2.0	4.0