阻挡层CMP中螯合剂FA/O Ⅱ对抛光效果的影响

• 作者: 刘玉岭 张文倩 王胜利 王辰伟 荣颖佳 高娇娇
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 阻挡层化学机械抛光(CMP) 去除速率 电化学 表面粗糙度 螯合剂FA/O Ⅱ 碟形坑 蚀坑
• 年，卷（期）: 2015,（9）
• 所属期刊栏目: 加工、测量与设备
• 页码范围: 603-610
• 分类号: TN305.2
• 语种: 中文
• DOI: 10.13250/j.cnki.wndz.2015.09.011

摘要

主要研究了螯合剂FA/O Ⅱ在阻挡层抛光中对去除速率和表面形貌的影响.通过对开路电压和塔菲尔曲线的检测,研究了Cu在螯合剂溶液中的溶解过程,结果表明FA/O Ⅱ对Cu有很强的螯合能力,能够提高Cu的去除速率.此外,研究了螯合剂对12英寸(1英寸=2.54cm) Cu,Ta和TEOS光片去除速率的影响,结果表明当抛光液由体积分数为50％的硅溶胶、体积分数为0.07％的螯合剂和体积分数为3％的活性剂组成时,Cu的去除速率被提高到31 nm/min,并且满足Cu,Ta和TEOS的速率选择比,这种情况非常有利于碟形坑/蚀坑的修正,而且抛光后的表面粗糙度较低.此外,在不同浓度的螯合剂下,对12英寸布线片电阻差值进行了检测,发现体积分数为0.1％的FA/O Ⅱ对细线条处Cu的钝化作用最强,FA/O Ⅱ的体积分数为0.05％时,细线条处Cu的去除速率达到最大.上述结果对阻挡层抛光的进一步研究有重要参考价值.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘玉岭	河北工业大学微电子研究所	263	1540	17.0	22.0
2	王胜利	河北工业大学微电子研究所	26	107	6.0	8.0
3	王辰伟	河北工业大学微电子研究所	80	287	8.0	10.0
4	张文倩	河北工业大学微电子研究所	11	36	3.0	5.0
5	高娇娇	河北工业大学微电子研究所	14	51	5.0	6.0
6	荣颖佳	河北工业大学微电子研究所	1	5	1.0	1.0