H2S在清洁和羟基化TiO2-B(100)表面吸附的密度泛函理论研究

• 作者: 蔡璐 郭晓静 陆小华 黎军
• 来源期刊: 南京工业大学学报（自然科学版）
• 学科: 化学
• 关键词: H2S TiO2 吸附 表面羟基 密度泛函理论
• 年，卷（期）: 2015,（3）
• 页码范围: 114-119
• 页数: 6页
• 分类号: O641.3
• 字数: 3542字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-7627.2015.03.021

摘要

采用密度泛函理论(DFT)研究H2S分子在清洁和羟基化的TiO2-B(100)表面的吸附行为,同时考察表面羟基对H2S吸附的影响.结果表明:H2S分子优先吸附在TiO2-B(100)表面的五配位Ti上(Ti5C).当TiO2-B(100)表面被部分羟基化时,无论端羟基还是桥羟基都对H2S的吸附有增强作用,这是由于表面羟基与H2S之间形成了氢键;当TiO2-B(100)表面完全被羟基覆盖时,H2S的吸附会受到削弱.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陆小华	南京工业大学材料化学工程国家重点实验室	182	1970	24.0	34.0
2	郭晓静	南京工业大学材料化学工程国家重点实验室	4	15	2.0	3.0
3	黎军	南京工业大学材料化学工程国家重点实验室	9	51	4.0	7.0
4	蔡璐	南京工业大学材料化学工程国家重点实验室	2	4	1.0	2.0