制约硅晶片减薄因素研究分析

• 作者: 刘腾云 葛培琪 高玉飞
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 硅晶片 晶片厚度 断裂强度 刚度
• 年，卷（期）: 2015,（7）
• 页码范围: 1719-1724
• 页数: 6页
• 分类号: O786
• 字数: 4175字
• 语种: 中文

摘要

随着硅晶片薄型化发展,减少硅晶片厚度已成为降低芯片制造成本的重要措施.但在硅晶片制造加工过程中,许多因素制约了其减薄.针对硅晶片减薄问题,总结分析了制约硅晶片减薄因素,重点阐述了硅晶片厚度与硅晶片的断裂强度、刚度、翘曲度、固有频率的关系,分析了减小硅晶片厚度对硅晶片加工、检测和运输的影响,并对硅晶片厚度标准化问题进行了讨论,最后得到了制约硅晶片减薄的关键因素.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	葛培琪	山东大学机械工程学院	122	1523	21.0	33.0
5	高玉飞	山东大学机械工程学院	27	232	9.0	14.0
6	刘腾云	山东大学机械工程学院	1	2	1.0	1.0