锁模激光照射下InGaAs p-i-n管的负电压响应机理

• 作者: 孙晓泉 胡伟 豆贤安
• 来源期刊: 红外与毫米波学报
• 学科: 工学
• 关键词: 锁模激光 负电压 等效电路 电感 结电容
• 年，卷（期）: 2015,（1）
• 页码范围: 36-40
• 页数: 5页
• 分类号: TN215
• 字数: 2788字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3724/SP.J.1010.2015.00036

摘要

在考察InGaAs p-i-n管对锁模激光响应的实验中,发现其响应电压在经历一个快速的上升沿和缓慢的拖尾以后有一个明显的负电压.在二极管的线性响应阶段,负电压与正电压的峰值之比大约在0.18左右,且不随激光脉冲能量的增大而改变;在二极管的非线性响应阶段,随着光脉冲能量的增大,负电压逐渐变小最终消失.通过对p-i-n管的等效电路模型的建立以及对RLC振荡电路方程的求解,认为负电压的产生是由于二极管表现出了可观的电感特性,而负电压的消失是由于二极管的结电容随着光脉冲能量增大而增大的结果.该研究结果对InGaAsp-i-n管的设计和制造具有一定的理论指导作用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孙晓泉	电子工程学院脉冲功率与激光技术国家重点实验室	51	580	13.0	21.0
2	豆贤安	电子工程学院脉冲功率与激光技术国家重点实验室	5	5	1.0	1.0
3	胡伟	电子工程学院脉冲功率与激光技术国家重点实验室	8	29	3.0	5.0