篇名 | Influences of fringing capacitance on threshold voltage and subthreshold swing of a GeOI metal-oxide-semiconductor field-effect transistor | ||
来源期刊 | 中国物理B(英文版) | 学科 | |
关键词 | GeOI metal-oxide-semiconductor field-effect transistor fringing capacitance subthreshold swing threshold voltage | ||
年,卷(期) | 2015,(3) | 所属期刊栏目 | |
研究方向 | 页码范围 | 327-331 | |
页数 | 5页 | 分类号 | |
字数 | 语种 | 中文 | |
DOI | 10.1088/1674-1056/24/3/037303 |