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文献信息
篇名 Influences of fringing capacitance on threshold voltage and subthreshold swing of a GeOI metal-oxide-semiconductor field-effect transistor
来源期刊 中国物理B(英文版) 学科
关键词 GeOI metal-oxide-semiconductor field-effect transistor fringing capacitance subthreshold swing threshold voltage
年,卷(期) 2015,(3) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 327-331
页数 5页 分类号
字数 语种 中文
DOI 10.1088/1674-1056/24/3/037303
五维指标
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研究主题发展历程
节点文献
GeOI metal-oxide-semiconductor field-effect transistor
fringing capacitance
subthreshold swing
threshold voltage
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
中国物理B(英文版)
月刊
1674-1056
11-5639/O4
北京市中关村中国科学院物理研究所内
eng
出版文献量(篇)
17050
总下载数(次)
0
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