Ⅳ族FCC晶体基态结构和电子性质第一性原理研究

• 作者: 冉曾令 唐斌 张强 易凤莲 罗强 邱毅
• 来源期刊: 原子与分子物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 面心立方结构 第一性原理 态密度 能隙
• 年，卷（期）: 2015,（1）
• 页码范围: 153-157
• 页数: 5页
• 分类号: O481
• 字数: 2819字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-0364.2015.01.026

摘要

采用基于密度泛函理论的第一性原理方法,在广义梯度近似下,计算了Ⅳ族元素晶体的面心立方结构和电子性质.结果表明：Ⅳ族元素晶体的面心立方结构均可存在,面心立方结构Ge晶体的结合能最大,结构最稳定；面心立方结构 C、Si、Ge 和 Sn 的晶格常数分别为0.3509nm 、0.4322nm、0.4225nm、0.4903nm,不随原子序数的增加而单调增加,是由面心立方锗晶体比面心立方硅晶体中电子云交叠小,产生的排斥较弱所导致的；面心立方结构C晶体是间接能隙为6.5eV的宽禁带半导体,面心立方结构Si晶体的导带和价带存在较小的交叠而呈现出半金属性,面心立方结构Ge和Sn的电子结构相似均表现为金属性,Ⅳ族元素面心立方结构晶体的电学性质由宽禁带半导体向金属转变.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	唐斌	西南石油大学理学院	30	133	6.0	10.0
2	张强	西南石油大学理学院	53	121	6.0	8.0
3	冉曾令	电子科技大学光纤传感与通信教育部重点实验室	41	576	11.0	23.0
4	罗强	西南石油大学理学院	34	152	7.0	10.0
5	易凤莲	西南石油大学理学院	1	0	0.0	0.0
6	邱毅	西南石油大学理学院	3	3	1.0	1.0