Si3N4原位增强Cu基复合材料的制备

• 作者: 徐玉松 李鹏 靳翠平
• 来源期刊: 复合材料学报
• 学科: 工学
• 关键词: 复合材料 Cu基 原位增强 Si3N4 制备
• 年，卷（期）: 2015,（2）
• 页码范围: 458-464
• 页数: 7页
• 分类号: TB331
• 字数: 4319字
• 语种: 中文
• DOI: 10.13801/j.cnki.fhclxb.20140418.001

摘要

采用感应炉熔炼及水雾化工艺制得了Cu-Si合金粉末,经N2、H2混合气体选择氮化和真空放电等离子烧结(SPS)成型,制备得到了Si3 N4原位增强Cu基复合材料(Si3N4/Cu),利用萃取法研究了选择性氮化产物及其晶体结构.结果表明:复合粉末中N含量随氮化温度的升高和氮化时间的延长而增大.在1 000℃下氮化,持续时间大于60 h时,粉末中的N含量明显提高;Cu的衍射峰出现整体向大角度方向的明显偏移,同时晶格常数变小,表明Si从Cu基体中脱溶,与N反应生成Si3N4;Si3N4/Cu复合材料的增强体以β-Si3N4为主;随着氮化温度的升高和氮化时间的延长,Si3N4/Cu复合材料的电导率和硬度逐步提高.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐玉松	江苏科技大学材料科学与工程学院	58	274	8.0	15.0
2	李鹏	江苏科技大学材料科学与工程学院	39	223	8.0	14.0
3	靳翠平	江苏科技大学材料科学与工程学院	1	2	1.0	1.0