SOI基亚微米光波导可调光衰减器的设计

• 作者: 刘瑞丹 吴远大 安俊明 王玥 胡雄伟
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 工学
• 关键词: 绝缘体上硅 可调光衰减器 光波导 等离子体色散效应
• 年，卷（期）: 2015,（1）
• 所属期刊栏目: 光电器件
• 页码范围: 34-37,41
• 分类号: TN256
• 语种: 中文

摘要

基于硅的等离子色散效应,构建了SOI基光波导可调光衰减器(VOA)仿真模型,对SOI基亚微米脊形波导结构的模式特性、VOA器件的掺杂区间距、掺杂深度及浓度对VOA特性的影响进行了系统的模拟分析,优化设计出了小尺寸、低损耗的VOA器件,仿真结果表明:该器件在2.1V电压下即可获得30 dB衰减量,功耗仅为14 mW.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王玥	中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室	79	544	8.0	22.0
2	吴远大	中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室	25	34	3.0	4.0
3	安俊明	中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室	45	77	5.0	6.0
4	胡雄伟	中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室	41	134	6.0	9.0
5	刘瑞丹	中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室	1	3	1.0	1.0