端面反射率对单端反射半导体光放大器的影响

• 作者: 刘松 王海龙 陈廷廷
• 来源期刊: 通信技术
• 学科: 工学
• 关键词: 单端反射半导体光放大器 龙格-库塔法 放大自发辐射噪声 端面反射率
• 年，卷（期）: 2015,（2）
• 所属期刊栏目: 信息处理与传输
• 页码范围: 161-164
• 页数: 4页
• 分类号: TN929.1
• 字数: 2820字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1002-0802.2015.02.009

摘要

本文考虑了光子密度、增益谱色散、放大自发辐射噪声(ASE)、端面反射率和载流子浓度对折射率的影响，并采用细化分段法及四阶龙格-库塔法求解速率方程及光场传输方程，分析了不同端面反射率时单端反射半导体光放大器(RSOA)的动态特性。结果表明端面反射率的适当增加，可以使增益得到提高，增益恢复时间减少， ASE 输出功率增加，消光比下降。理论分析为优化 RSOA的动态特性具有一定的指导意义。