一种新型X波段5bit本振移相器设计

• 作者: 李宁 李巍 陈昌铭
• 来源期刊: 复旦学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 移相器 矢量合成 混频器 本振移相 CMOS
• 年，卷（期）: 2015,（2）
• 所属期刊栏目: 微电子科学
• 页码范围: 156-167
• 分类号: TN772
• 语种: 中文

摘要

设计了一种应用于X波段本振移相的新型矢量合成移相器,该新型矢量合成移相器主要由4个3 bit的子移相器组成,可以实现5 bit的移相精度.该移相器降低了对可变增益放大器(Variable Gain Amplifier,VGA)的精度要求.可变增益放大器的可变增益通过一组开关控制增益单元来实现,从而避免了传统正交矢量合成移相器中VGA偏置电流改变造成的线性度波动和漏源波动问题,故应用于本振移相时可以实现较小的移相增益误差和相位误差.为了验证该移相器的本振移相性能,设计了一个混频器作为测试电路.本设计采用0.13 μm CMOS工艺实现,电源电压为1.2V.测试结果表明,在9～12 GHz内,混频器在本振移相器驱动下的平均转换增益为-0.5～7dB,移相器的移相精度为5 bit,均方根增益误差最大值为0.8dB,均方根相位误差最大值为4°.直流功耗为40 mW.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李巍	复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室	52	197	7.0	12.0
2	李宁	复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室	70	304	9.0	13.0
3	陈昌铭	复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室	1	7	1.0	1.0