Vishay超薄IGBT/MOSFET驱动器在小尺寸逆变器中有效节省空间

• 作者: 江安庆
• 来源期刊: 半导体信息
• 学科: 工学
• 关键词: 逆变器 IGBT/MOSFET VISHAY 可替代能源 焊接设备 最小间隙 爬电距离 工作电压 污染程度 供货周期
• 年，卷（期）: bdtxx_2015,（3）
• 页码范围: 26-27
• 页数: 2页
• 分类号: TM464

摘要

【正】Vishay Intertechnology,Inc.宣布,推出新的SMD封装的超薄2.5AIGBT和MOSFET驱动器——VOL3120。Vishay Semiconductors这款器件占位小,高度为2.5mm,最小间隙和外部爬电距离为8mm。除了尺寸小的特点,器件还具有高隔离电压,VIORM和VIOTM分别为1050V和8000V,非常适合在更高工作电压或污染程度更严重条件下运转,例如电机驱动、可替代能源、焊接设备和其他高工作电压的应用。VOL3120的高比标准DIP封装的器件低30,节省空间,并实现类似电磁炉面,以及民用太阳能电池和电机驱动中的小尺寸逆变器等扁平外形的应用。