小尺寸MOSFET SEU的准三维模拟

• 作者: 师谦 汪俊 邓文基
• 来源期刊: 电子产品可靠性与环境试验
• 关键词: 单粒子翻转 电荷收集 准三维模拟
• 年，卷（期）: 2008,（3）
• 所属期刊栏目: 可靠性物理与失效分析技术
• 页码范围: 16-19
• 页数: 4页
• 分类号: TN386
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-5468.2008.03.005

摘要

主要针对小尺寸MOSFET SEU的准三维模拟进行了研究,讨论了有关器件尺寸缩小等因素发生变化时,器件对SEU敏感性的变化情况.模拟结果表明,随着器件尺寸的缩小,衬底浓度的增大,器件对SEU的敏感性增加.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	师谦		11	110	7.0	10.0
2	邓文基	华南理工大学微电子研究所	32	145	7.0	10.0
3	汪俊	华南理工大学微电子研究所	3	5	1.0	2.0