APCVD法制备Nb∶TiO2薄膜及其光电性能

• 作者: 丛炳俊 刘涌 宋晨路 杨磊 林俊君 王慷慨 程波 陆妍
• 来源期刊: 材料科学与工程学报
• 学科: 工学
• 关键词: 透明导电氧化物薄膜 常压化学气相沉积 晶体质量 光电性能
• 年，卷（期）: 2015,（4）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 526-529,541
• 分类号: TB43
• 语种: 中文
• DOI: 10.14136/j.cnki.issn.1673-2812.2015.04.012

摘要

透明导电氧化物(TCO)薄膜要求低电阻率和可见光区高透过率.目前最常用的是ITO薄膜存在着有毒、In成本高等难以克服的缺点.NTO薄膜是近年来新发现的一种具备广阔前景的TCO薄膜,但对它的认识还不充分.本文采用APCVD法在玻璃基板上成功制备出了颗粒均匀细小致密的NTO薄膜,探索出最佳反应温度为500℃～550℃,通过高真空退火的方式改善了薄膜晶体质量,光学透过率获得大幅提升,与经过掺杂但未经过H2退火的Nb∶TiO2薄膜和经过H2退火但未掺杂的TiO2薄膜相比较,经过掺杂和H2退火的Nb∶ TiO2薄膜其电学性能得到明显改善.