经硅等离子体注入的纯镁电化学腐蚀性能的研究

• 作者: 杨种田 杨雄波 樊帅伟 许瑞珍
• 来源期刊: 三峡大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 等离子体注入 镁 腐蚀
• 年，卷（期）: 2015,（2）
• 所属期刊栏目: 化学与生命科学
• 页码范围: 98-101
• 页数: 4页
• 分类号: TG174.3+6
• 字数: 2253字
• 语种: 中文
• DOI: 10.13393/j.cnki.issn.1672-948X.2015.02.022

摘要

优越的力学性能,理想的生物相容性和独特的降解特性使镁及其合金成为革命性的金属生物材料,但耐蚀性差限制了其应用潜力的发挥,为此提高其耐腐蚀性成为重要的研究课题.等离子体注入是既有效又方便的表面改性技术.本文对纯镁进行硅等离子体注入表面改性,通过光电子能谱检测硅元素注入深度和化合价态,并使用动电位极化测试和交流阻抗谱评价处理前后样品在模拟体液中的腐蚀行为.实验结果表明,经硅等离子体注入的纯镁表面形成一层由二氧化硅和氧化镁组成的复合氧化膜.在电化学测试中,处理后的样品呈现较高的腐蚀电位和较低的腐蚀电流,容抗环明显增大.这些结论均表明硅注入后在纯镁表面形成的复合氧化膜减缓了腐蚀速率,提高了耐腐蚀性能.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	许瑞珍	三峡大学理学院	9	81	3.0	9.0
2	杨种田	三峡大学理学院	10	22	3.0	4.0
3	杨雄波	三峡大学理学院	9	99	4.0	9.0
4	樊帅伟	三峡大学理学院	7	9	2.0	3.0