研究人员在二维半导体中创造出具有光学活性的量子点

• 作者: 科发
• 来源期刊: 半导体信息
• 学科: 物理学
• 关键词: 量子点 二维半导体 罗彻斯特大学 光子学 光学活性 固体电子学 砷化铟 光学特性 硒化 论文第一作者
• 年，卷（期）: 2015,（3）
• 页码范围: 36-36
• 页数: 1页
• 分类号: O471.1

摘要

【正】英国罗彻斯特大学的研究者们发现原子厚度半导体的缺陷可以产生发光的量子点。这种量子点是单一光子的来源,这种现象对于量子光子学和固体电子学的联合研究十分有益——就是所谓的集成光子学。在《Nature Nanotechnology》发表的一篇文章中,罗彻斯特大学的研究者发现可以将二硒化钨注入原子厚度的半导体内,作为固态量子点的生长平台。他们表示产生量子点的缺陷不会抑制半导体的电学或光学特性,并且可以外加电场或磁场来控制这些缺陷。在原子厚度的二硒化钨中生成量子点比在传统材料如砷化铟中生成量子点要容易许多,这是一个显著的优势。"我们采用墨晶,并一层一层的进行剥