第一性原理计算N掺杂对InNbO4电子结构的影响

• 作者: 史海峰 周长平 蓝奔月
• 来源期刊: 原子与分子物理学报
• 学科: 化学
• 关键词: 第一性原理 InNbO4 N掺杂 电子结构
• 年，卷（期）: 2015,（6）
• 所属期刊栏目: 原子分子物理交叉学科
• 页码范围: 1055-1058
• 页数: 4页
• 分类号: O641
• 字数: 1423字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-0364.2015.12.024

摘要

宽带隙(3．83 eV)半导体光催化材料InNbO4在紫外光作用下具有分解水和降解有机物的性能．最近实验发现了N掺杂InNbO4具有可见光下分解水制氢的活性．为了从理论上解释这一实验现象,本文采用基于密度泛函理论的第一性原理计算了N掺杂对InNbO4的能带结构、态密度和光学性质的影响．分析能带结构可得,N掺杂后在InNbO4的价带(O 2p)上方形成N 2p局域能级,导致电子跃迁所需的能量减小．吸收光谱表明,N掺杂后InNbO4的光吸收边出现了红移,实现了可见光吸收．

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	史海峰	江南大学理学院	5	12	2.0	3.0
5	蓝奔月	江南大学理学院	3	35	2.0	3.0
6	周长平	江南大学理学院	2	19	2.0	2.0