氮化物深紫外LED研究新进展

• 作者: 孙莉莉 张韵 朱邵歆 李晋闽 王军喜 田迎冬 郭亚楠 闫建昌 陈翔
• 来源期刊: 中国科学（物理学 力学 天文学）
• 关键词: AlN GaN AlGaN 紫外发光二极管
• 年，卷（期）: 2015,（6）
• 所属期刊栏目: 评述
• 页码范围: 32-51
• 页数: 20页
• 语种: 中文
• DOI: 10.1360/SSPMA2015-00026

摘要

基于三族氮化物(Ⅲ-nitride)材料的紫外发光二极管(UV LED)在杀菌消毒、聚合物固化、生化探测、非视距通讯及特种照明等领域有着广阔的应用前景,近年来受到越来越多的关注和重视.在过去的十多年里,氮化物UV LED取得了长足的进步,发光波长400-210 nm之间的氮化物UV LED先后被研发出来,短于360 nm的深紫外LED (DUV LED)的外量子效率(EQE)最好结果已超过10％,很大程度上得益于核心AlGaN材料制备技术的进展,通过提高AlGaN外延材料及量子结构中的Al组分,可以实现更短波长的UV LED,但是源于Al(Ga)N材料的特性,随着Al组分的提高,高质量材料外延和实现有效掺杂面临越来越高的挑战.本文首先从材料外延和掺杂研究的角度出发,分别从UV LED的量子结构与效率、关键芯片工艺、光提取、可靠性与热管理等方面,详细阐述探讨了发光波长短于360 nm的DUV LED研究中面临的核心难点及近年来的一系列重要研究进展.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李晋闽	中国科学院半导体研究所	75	652	13.0	23.0
2	王军喜	中国科学院半导体研究所	32	155	8.0	10.0
3	陈翔	中国科学院半导体研究所	25	268	8.0	16.0
4	闫建昌	中国科学院半导体研究所	8	28	2.0	5.0
5	孙莉莉	中国科学院半导体研究所	2	1	1.0	1.0
6	张韵	中国科学院半导体研究所	2	0	0.0	0.0
7	郭亚楠	中国科学院半导体研究所	1	0	0.0	0.0
8	田迎冬	中国科学院半导体研究所	1	0	0.0	0.0
9	朱邵歆	中国科学院半导体研究所	1	0	0.0	0.0