Carisolv Ⅲ化学机械去龋法对Ⅱ类洞微渗漏影响研究

• 作者: 仇丽鸿 朱晓华 詹福良 邵丽娜
• 来源期刊: 中国实用口腔科杂志
• 学科: 医学
• 关键词: Carisolv 微渗漏 化学机械去龋
• 年，卷（期）: 2015,（2）
• 所属期刊栏目: 论著
• 页码范围: 89-92
• 页数: 4页
• 分类号: R78
• 字数: 2962字
• 语种: 中文
• DOI: 10.7504/kq.2015.02.007

摘要

目的 探讨化学机械去龋制剂CarisolvⅢ对Ⅱ类洞光固化复合树脂充填术后微渗漏的影响.方法 本研究于2014年6月在中国医科大学附属口腔医院中心实验室和东北大学研究所完成.收集中国医科大学附属口腔医院口腔颌面外科门诊因各种原因拔除的恒磨牙30例,要求近中、远中均有龋坏,两侧龋坏大小、深度、范围相近.将样本的近中洞、远中洞随机分为实验组和对照组:实验组采用CarisolvⅢ化学机械法去龋;对照组采用传统慢速球钻去龋.所有样本光固化复合树脂充填后,经500次温差循环实验,置于0.5％碱性品红溶液中浸泡24 h,沿牙体长轴近远中向纵剖,在体视显微镜下对染料渗入情况进行等级评分(0～3分),在扫描电镜下观察充填体与牙体间微缝隙的宽度以评价微渗漏情况.染料渗入法评分采用Manu-Whiney U检验进行分析.微缝隙宽度采用两个样本t检验进行分析.结果 与对照组比较,实验组轴壁、龈壁染料渗入评分差异有统计学意义(P＜0.05);各组内轴壁微渗漏明显少于龈壁(P＜0.05).扫描电镜下微缝隙宽度测量结果表明,组间轴壁、龈壁微缝隙宽度差异有统计学意义(P＜0.05);组内轴壁微缝隙宽度明显小于龈壁(P＜0.05).结论 CarisolvⅢ能有效减少Ⅱ类洞光固化复合树脂充填术后微渗漏的发生;与龈壁相比,轴壁微渗漏更小.