脉冲功率开关RSD研究进展

• 作者: 余岳辉 梁琳
• 来源期刊: 电源技术应用
• 学科: 工学
• 关键词: 脉冲功率 开关 半导体 RSD SIC
• 年，卷（期）: dyjsyy_2015,（7）
• 页码范围: 1-9
• 页数: 9页
• 分类号: TN31

摘要

介绍了近年来本课题组在半导体脉冲功率开关反向开关晶体管RSD（reversely switehed dynistor）器件方面所做的基础研究工作以及工程应用推广的情况，具体包括Si基RSD器件的二位数值模型与导通机理研究、引入缓冲层的结构优化、采用两步式触发的应用优化、高压大电流和重复频率开通试验；以及SiC基RSD器件的模型建立和关键工艺初步探索。其中，自主研制的3吋Si基RSD器件堆体单次脉冲工况下最高通过峰值电流173kA，转移电荷量32C；以0．2Hz重复频率工作，峰值电流107kA，寿命超过5万次。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	梁琳	华中科技大学光学与电子信息学院	39	240	8.0	14.0
2	余岳辉	华中科技大学光学与电子信息学院	60	621	14.0	22.0