英特尔美光公布新存储芯片 速度是现有闪存千倍

• 来源期刊: 泸州科技
• 学科: 工学
• 关键词: 存储芯片 内存芯片 闪存芯片 智能机 NAND 数据容量 存储容量 副总裁 保存数据 技术名
• 年，卷（期）: zzkjb_2015,（3）
• 页码范围: 24-
• 页数: 1页
• 分类号: TP333

摘要

<正>英特尔和美光科技在7月26日宣布,他们已开发出了一种新型存储芯片,能够大幅提升计算机、智能机以及其它类型高科技产品的性能。英特尔和美光称,他们计划在明年开始销售这种芯片。该芯片的速度最高可达到当前多数移动设备所用NAND闪存芯片的1000倍,可存储的数据容量是主流DRAM内存芯片的10倍。