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摘要:
通过MOCVD和CVD生长技术,利用高Al组分AlGaN和单层石墨烯材料进行纵向集成,成功制备了日盲紫外-近红外双色探测器。在工作温度为室温、调制频率为209 Hz以及工作电压分别为10 V和5 V的工作条件下,所制备的双色探测器在紫外波段263 nm处的响应度为5.9 mA/W,在近红外波段1.15μm处的响应度为0.67 mA/W,并且探测器的响应度均随着工作电压的增加而增大。
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文献信息
篇名 一种基于AlGaN和石墨烯的紫外-红外双色探测器
来源期刊 发光学报 学科 工学
关键词 AlGaN 石墨烯 紫外-红外双色探测器
年,卷(期) 2015,(10) 所属期刊栏目 器件制备及器件物理
研究方向 页码范围 1167-1170
页数 4页 分类号 TN215|TN23
字数 1929字 语种 中文
DOI 10.3788/fgxb20153610.1167
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1000-7032
22-1116/O4
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长春市东南湖大路16号
12-312
1970
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