卤离子对N…Cl卤键的加强作用的理论研究

• 作者: 刘立勋 左佳男 曾艳丽 耿宗科 高磊
• 来源期刊: 计算机与应用化学
• 学科: 化学
• 关键词: 卤键 氢键 静电势 电子密度拓扑分析
• 年，卷（期）: 2015,（7）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 838-840
• 页数: 3页
• 分类号: O641
• 字数: 2231字
• 语种: 中文
• DOI: 10.11719/com.app.chem20150716

摘要

采用HF方法和6-31G(d,p)基组,对C4H4N2…2ClF复合物中的卤键作用进行研究,并讨论随着卤离子的加入,形成X-…C4H4N2…2ClF (X-=F-,Cl-,Br)复合物之后,卤离子对该类卤键的加强作用.通过分析分子表面静电势,搭建复合物构型,优化得到了复合物的稳定构型并进行了频率分析.用电子密度拓扑分析方法研究复合物中卤键的性质,探讨了该类卤键的作用本质.研究结果表明:(1) C4H4N2可以通过氮原子外的负静电势区域与ClF分子中Cl原子外的正静电势区域结合形成2个N…Cl卤键,卤离子F-、Cl-和Br-与C4H4N2中的2个H原子可以形成氢键,这个氢键对N…Cl卤键有明显的加强作用,且按照Br、Cl-和F-的顺序,加强作用越来越明显.(2)电子密度拓扑分析表明,复合物C4H4N2…2ClF、Br-…C4H4N2…2ClF、Cl-…C4H4N2…2ClF、F-…C4H4N2…2ClF的N…Cl卤键强度依次增加;N…Cl卤键属于闭壳层相互作用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	曾艳丽	河北师范大学化学与材料科学学院	64	207	7.0	11.0
2	耿宗科	河北师范大学化学与材料科学学院	6	12	2.0	3.0
3	高磊	河北师范大学化学与材料科学学院	2	2	1.0	1.0
4	刘立勋	河北师范大学化学与材料科学学院	1	2	1.0	1.0
5	左佳男	河北师范大学化学与材料科学学院	1	2	1.0	1.0