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晶体的定偏心平面CMP均匀性研究
晶体的定偏心平面CMP均匀性研究
作者:
刘顺
吴传超
安永泉
王志斌
解琨阳
赵同林
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
定偏心
CMP
轨迹方程
均匀性
摘要:
晶体的化学机械抛光(CMP)加工中存在工件的表面平整度差的问题.晶体平整度差,两块晶体在真空压合的过程中就会导致晶体被压裂甚至压碎,晶体表面出现任何微小的缺陷都会造成压合的失败,晶体的压合对于晶体表面的平整度要求非常高,因此本文针对这一现象提出一种定偏心平面CMP方式,通过此种被动驱动式平面CMP方法,合理选择CMP及偏心距的参数,使得被加工晶体(ZnSe)的表面粗糙度值达到0.846 nm,平面面形误差小于1.178 μm.
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内容分析
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相关文献总数
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文献信息
篇名
晶体的定偏心平面CMP均匀性研究
来源期刊
人工晶体学报
学科
物理学
关键词
定偏心
CMP
轨迹方程
均匀性
年,卷(期)
2015,(3)
所属期刊栏目
研究方向
页码范围
728-733
页数
6页
分类号
O786
字数
2129字
语种
中文
DOI
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CMP
轨迹方程
均匀性
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研究来源
研究分支
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期刊影响力
人工晶体学报
主办单位:
中材人工晶体研究院有限公司
出版周期:
月刊
ISSN:
1000-985X
CN:
11-2637/O7
开本:
16开
出版地:
北京朝阳区红松园1号中材人工晶体研究院,北京733信箱
邮发代号:
创刊时间:
1972
语种:
chi
出版文献量(篇)
7423
总下载数(次)
16
总被引数(次)
38029
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