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摘要:
晶体的化学机械抛光(CMP)加工中存在工件的表面平整度差的问题.晶体平整度差,两块晶体在真空压合的过程中就会导致晶体被压裂甚至压碎,晶体表面出现任何微小的缺陷都会造成压合的失败,晶体的压合对于晶体表面的平整度要求非常高,因此本文针对这一现象提出一种定偏心平面CMP方式,通过此种被动驱动式平面CMP方法,合理选择CMP及偏心距的参数,使得被加工晶体(ZnSe)的表面粗糙度值达到0.846 nm,平面面形误差小于1.178 μm.
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文献信息
篇名 晶体的定偏心平面CMP均匀性研究
来源期刊 人工晶体学报 学科 物理学
关键词 定偏心 CMP 轨迹方程 均匀性
年,卷(期) 2015,(3) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 728-733
页数 6页 分类号 O786
字数 2129字 语种 中文
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 王志斌 148 757 13.0 18.0
5 刘顺 2 6 2.0 2.0
6 吴传超 2 14 2.0 2.0
7 安永泉 2 14 2.0 2.0
8 赵同林 1 4 1.0 1.0
9 解琨阳 1 4 1.0 1.0
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人工晶体学报
月刊
1000-985X
11-2637/O7
16开
北京朝阳区红松园1号中材人工晶体研究院,北京733信箱
1972
chi
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