Fe4-xGaxN薄膜的制备及其电导行为

• 作者: 孙忠巍 武彤 汤云晖 王群 瞿志学
• 来源期刊: 稀有金属材料与工程
• 学科: 工学
• 关键词: 电子束蒸发沉积 Fe4-xGaxN 电阻率
• 年，卷（期）: 2015,（5）
• 所属期刊栏目: 材料工艺
• 页码范围: 1285-1288
• 页数: 4页
• 分类号: TM284
• 语种: 中文

摘要

利用电子束蒸发沉积的方法制备了不同Ga含量的FeGa合金薄膜,采用XRD和EDS对制得的FeGa合金薄膜的物相和成分进行了分析.合金薄膜在氨/氢比1:1的气氛中500℃下被氮化,使用XRD、SEM对氮化后薄膜的物相组成、微观形貌进行了分析,并通过Hall测试系统对氮化后薄膜的电导行为进行了分析.结果表明,氮化得到了钙钛矿结构的Fe4-xGaxN,氮化后晶粒有轻微长大,Ga元素在薄膜中分布均匀;随着Ga含量的增大,薄膜的载流子浓度和电子迁移率都呈现出降低的趋势,电阻率逐渐增大.