加高喷头MOCVD压强对生长影响的研究

• 作者: 唐子涵 张建立 徐龙权 曹盛
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 工学
• 关键词: MOCVD 加高喷头 GaN生长 均匀性 数值模拟
• 年，卷（期）: 2015,（11）
• 页码范围: 2994-2999
• 页数: 6页
• 分类号: TB47
• 字数: 3432字
• 语种: 中文

摘要

以低速旋转、加高喷头、垂直喷淋的MOCVD反应室为对象,运用三维数学输运模型分析与计算.在模拟过程中分析了压强的变化对高喷头反应室流场的影响,着重分析与讨论了操作压强变化与GaN薄膜的沉积一致性及平均生长速率的关系,其次探讨了实验值与模拟值对比结果,从而对薄膜的均匀性及平均生长速率进行一定的预测,最终得到以基准工艺参数为前提的最佳压强设定范围为6650～13300 Pa.模拟跟实验结果表明:减小压强有利于薄膜的均匀性,压强较大时,平均生长速率大,但压强较大时极易引起流场不稳.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐龙权	南昌大学国家硅基LED工程技术研究中心	10	36	4.0	5.0
2	张建立	南昌大学信息工程学院	6	6	2.0	2.0
3	唐子涵	南昌大学信息工程学院	3	8	2.0	2.0
4	曹盛	南昌大学国家硅基LED工程技术研究中心	1	0	0.0	0.0