用于多结叠层太阳电池的GaInAsN材料研究进展

• 作者: 刘如彬 唐悦 孙强 张启明 张恒
• 来源期刊: 电源技术
• 学科: 工学
• 关键词: GaInAsN 多节叠层太阳电池 金属有机气相沉积 分子束外延 化学束外延
• 年，卷（期）: 2015,（10）
• 所属期刊栏目: 综述
• 页码范围: 2321-2324
• 页数: 4页
• 分类号: TM914
• 字数: 4806字
• 语种: 中文

摘要

1.0eV的GalnAsN材料是实现与Ge或GaAs衬底晶格匹配的高效多结叠层太阳电池的理想材料.但是,目前制备高质量的GaInAsN材料较为困难,使得相应电池性能低下,未能达到预想的效果.介绍了几种生长GalnAsN材料的外延工艺,探讨了各种外延方法导致材料生长困难的原因和相应的改进工艺,并在总结了GaInAsN太阳电池研究现状的基础上对其未来发展趋势进行了展望.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘如彬	中国电子科技集团公司第十八研究所	6	22	3.0	4.0
2	孙强	中国电子科技集团公司第十八研究所	32	139	7.0	10.0
3	张恒	中国电子科技集团公司第十八研究所	9	53	5.0	7.0
4	唐悦	中国电子科技集团公司第十八研究所	5	25	3.0	5.0
5	张启明	中国电子科技集团公司第十八研究所	4	5	1.0	2.0