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摘要:
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碳化硅MOSFET反型沟道迁移率的研究
碳化硅
界面态
反型沟道迁移率
阈值电压
高迁移率族蛋白1(HMGB1)的研究进展
HMGB1
先天性免疫
草鱼
斑马鱼
石首鱼
基于蒽衍生高迁移率发光材料的研究进展
蒽衍生物
高迁移率
强发光
有机发光场效应晶体管
高迁移率族蛋白1在心肌缺血再灌注损伤中作用的研究进展
HMGB1蛋白质
心肌再灌注损伤
细胞凋亡
自噬
炎症反应
内容分析
关键词云
关键词热度
相关文献总数  
(/次)
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文献信息
篇名 高迁移率 Ge沟道器件研究进展?
来源期刊 物理学报 学科
关键词 高迁移率沟道 栅工程 源漏工程 金属-氧化物-半导体
年,卷(期) 2015,(20) 所属期刊栏目 专题:硅基光电子物理和器件
研究方向 页码范围 208501-0-208501-12
页数 1页 分类号
字数 语种 中文
DOI 10.7498/aps.64.208501
五维指标
传播情况
(/次)
(/年)
引文网络
引文网络
二级参考文献  (0)
共引文献  (0)
参考文献  (0)
节点文献
引证文献  (2)
同被引文献  (0)
二级引证文献  (0)
2015(0)
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  • 二级引证文献(0)
2017(1)
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2018(1)
  • 引证文献(1)
  • 二级引证文献(0)
研究主题发展历程
节点文献
高迁移率沟道
栅工程
源漏工程
金属-氧化物-半导体
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
物理学报
半月刊
1000-3290
11-1958/O4
大16开
北京603信箱
2-425
1933
chi
出版文献量(篇)
23474
总下载数(次)
35
相关基金
国家自然科学基金
英文译名:the National Natural Science Foundation of China
官方网址:http://www.nsfc.gov.cn/
项目类型:青年科学基金项目(面上项目)
学科类型:数理科学
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