碳主族元素掺杂硅的第一性原理计算

• 作者: 卜琼琼
• 来源期刊: 科技视界
• 关键词: C族元素 Si 能带 态密度
• 年，卷（期）: 2015,（16）
• 所属期刊栏目: 职校科技
• 页码范围: 187-188
• 页数: 2页
• 字数: 2259字
• 语种: 中文

摘要

单晶硅的性质对所含杂质与缺陷十分敏感.于是,为了在硅上获得适合于实际应用的光发射,人们对Si材料的改性主要采取引入与控制杂质和缺陷的方法,期望获得有效的发光中心,近年来,Si材料的掺杂改性在实验和理论上都获得了广泛的关注.本文通过第一性原理的方法计算在硅中掺入C、Si、Ge、Sn、Pb等第四主族元素,来对它们的性质进行计算模拟,为Si的掺杂改性做理论分析指导.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	卜琼琼		2	0	0.0	0.0