介电泳抛光方法及其电极形状的实验研究

• 作者: 林益波 袁巨龙 赵天晨 邓乾发
• 来源期刊: 表面技术
• 学科: 工学
• 关键词: 介电泳抛光 电极形状 单晶硅片 均匀性 表面粗糙度 去除率
• 年，卷（期）: 2016,（1）
• 所属期刊栏目: 表面质量控制及检测
• 页码范围: 155-160
• 页数: 6页
• 分类号: TG175
• 语种: 中文
• DOI: 10.16490/j.cnki.issn.1001-3660.2016.01.025

摘要

目的 验证介电泳抛光方法的有效性,研究电极形状对介电泳抛光方法均匀性、抛光效率和去除率的影响. 方法 选取直径76. 2 mm的单晶硅片为实验对象,进行传统化学机械抛光( CMP)实验和使用4种电极形状的介电泳抛光实验,每隔30 min测量硅片不同直径上的表面粗糙度以及硅片的质量,然后对测量的数据进行处理和分析. 结果 与传统CMP方法比较,使用介电泳抛光方法抛光的硅片,不同直径上的表面粗糙度相差小,粗糙度下降速度快,使用直径60 mm圆电极形状介电泳抛光时相差最小,粗糙度下降最快. 介电泳抛光方法去除率最低能提高11 . 0%,最高能提高19 . 5%,最高时所用电极形状为内径70 mm、外径90 mm的圆环. 结论 介电泳抛光方法抛光均匀性、效率和去除率均优于传统CMP方法.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	袁巨龙	浙江工业大学超精密加工研究中心	116	1467	19.0	35.0
2	邓乾发	浙江工业大学超精密加工研究中心	29	152	7.0	10.0
3	赵天晨	浙江工业大学超精密加工研究中心	4	5	2.0	2.0
4	林益波	浙江工业大学超精密加工研究中心	1	2	1.0	1.0