C、N、O 掺杂 CuBr 和 CuCl 的电子结构和磁性的第一性原理研究

• 作者: 宋晓胜 赵辉 高峰
• 来源期刊: 原子与分子物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 第一性原理 掺杂 半金属铁磁性 压强
• 年，卷（期）: 2016,（1）
• 所属期刊栏目: 原子分子物理交叉学科
• 页码范围: 167-174
• 页数: 8页
• 分类号: O482.54
• 字数: 5641字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-0364.2016.02.029

摘要

本文基于密度泛函理论（ DFT）结合广义梯度近似（ GGA），采用第一性原理的平面波赝势方法，探究非磁性sp元素（C、N和O）掺杂卤化物（CuCl和CuBr）是否能诱导产生半金属铁磁性.通过计算体系总能量、能带、态密度和分态密度，分析了非磁性元素掺杂卤化物体系的电子结构和磁性；通过对材料加压，给出了体系铁磁性随压强变化的趋势并作了分析.最后计算显示， O和N掺杂能诱导CuCl 产生稳定的半金属铁磁性，随着压强的增大CuCl0.75 N0.25和CuCl0.75 O0.25的铁磁性减弱最终发生磁相变由铁磁态（FM）转变为非铁磁态（NM）.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵辉	天津师范大学物理与材料科学学院	33	45	5.0	5.0
2	高峰	天津师范大学物理与材料科学学院	1	6	1.0	1.0
3	宋晓胜	天津师范大学物理与材料科学学院	1	6	1.0	1.0