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摘要:
作为现代电力电子核心器件之一的P 沟道VDMOS(vertical double-diffuse,MOS)器件,一直以来由于应用领域狭窄而并未得到足够的研究。以P沟道VDMOS器件为研究对象,为一款击穿电压超过-200 V的P沟道VDMOS设计了有源区的元胞结构及复合耐压终端结构,并开发了一套完整的P沟道VDMOS专用非自对准工艺流程。最后通过仿真得到器件的击穿电压超过-200 V,阈值电压为-2.78 V,完全满足了设计要求,也为下一步流片提供了有益的参考。
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内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 大功率P沟道VD MOS器件设计与工艺仿真
来源期刊 重庆大学学报 学科 工学
关键词 P沟道VDMOS 击穿电压 导通电阻 阈值电压
年,卷(期) 2016,(4) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 133-138
页数 6页 分类号 TN432
字数 语种 中文
DOI 10.11835/j.issn.1000-582X.2016.04.017
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 杜林 西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室 7 14 2.0 3.0
2 蒲石 西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室 4 8 2.0 2.0
3 张得玺 西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室 2 4 2.0 2.0
传播情况
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研究主题发展历程
节点文献
P沟道VDMOS
击穿电压
导通电阻
阈值电压
研究起点
研究来源
研究分支
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引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
重庆大学学报
月刊
1000-582X
50-1044/N
大16开
重庆市沙坪坝正街174号
78-16
1960
chi
出版文献量(篇)
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总下载数(次)
8
总被引数(次)
85737
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