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大功率P沟道VD MOS器件设计与工艺仿真
大功率P沟道VD MOS器件设计与工艺仿真
作者:
张得玺
杜林
蒲石
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
P沟道VDMOS
击穿电压
导通电阻
阈值电压
摘要:
作为现代电力电子核心器件之一的P 沟道VDMOS(vertical double-diffuse,MOS)器件,一直以来由于应用领域狭窄而并未得到足够的研究。以P沟道VDMOS器件为研究对象,为一款击穿电压超过-200 V的P沟道VDMOS设计了有源区的元胞结构及复合耐压终端结构,并开发了一套完整的P沟道VDMOS专用非自对准工艺流程。最后通过仿真得到器件的击穿电压超过-200 V,阈值电压为-2.78 V,完全满足了设计要求,也为下一步流片提供了有益的参考。
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文献信息
篇名
大功率P沟道VD MOS器件设计与工艺仿真
来源期刊
重庆大学学报
学科
工学
关键词
P沟道VDMOS
击穿电压
导通电阻
阈值电压
年,卷(期)
2016,(4)
所属期刊栏目
研究方向
页码范围
133-138
页数
6页
分类号
TN432
字数
语种
中文
DOI
10.11835/j.issn.1000-582X.2016.04.017
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
杜林
西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室
7
14
2.0
3.0
2
蒲石
西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室
4
8
2.0
2.0
3
张得玺
西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室
2
4
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传播情况
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引文网络
引文网络
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节点文献
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二级引证文献(0)
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引证文献(0)
二级引证文献(1)
研究主题发展历程
节点文献
P沟道VDMOS
击穿电压
导通电阻
阈值电压
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
重庆大学学报
主办单位:
重庆大学
出版周期:
月刊
ISSN:
1000-582X
CN:
50-1044/N
开本:
大16开
出版地:
重庆市沙坪坝正街174号
邮发代号:
78-16
创刊时间:
1960
语种:
chi
出版文献量(篇)
6349
总下载数(次)
8
总被引数(次)
85737
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