玻璃-PDMS微流控芯片的电渗性能研究

• 作者: 刘星星 崔丽佳 张维 王升高 皮晓强 陈睿
• 来源期刊: 真空与低温
• 学科: 工学
• 关键词: 电渗 微流控芯片 PDMS
• 年，卷（期）: 2016,（4）
• 所属期刊栏目: 研 究 报 告
• 页码范围: 201-204,209
• 页数: 5页
• 分类号: TB321
• 字数: 2698字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1006-7086.2016.04.004

摘要

以玻璃为基片的微流控芯片在制造上存在工艺复杂、加工周期长、成本高等问题。实验以载玻片和PDMS为原材料，采用湿法刻蚀和浇筑的方法在玻璃和PDMS上制备出较佳结构的微沟道，并分别与PDMS和玻璃不可逆封接，获得了玻璃-PDMS（沟道在玻璃上，A.玻璃-PDMS）、玻璃-PDMS（沟道在PDMS上，B.玻璃-PDMS）两种芯片。对A.玻璃-PDMS、B.玻璃-PDMS两种芯片进行了伏安特性研究，得出芯片的线性伏安特性的最高电压分别为1990 V、1050 V，此时所对应的场强分别为499 V·cm-1、263 V·cm-1。利用电流监测对芯片的电渗性能进行分析，发现电渗流速度随缓冲溶液pH值的升高而增大，表面活性剂SDS的添加能显著提高电渗速度的大小和稳定性。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王升高	武汉工程大学湖北省等离子体化学与新材料重点实验室	35	104	5.0	8.0
2	刘星星	武汉工程大学湖北省等离子体化学与新材料重点实验室	6	7	1.0	2.0
3	崔丽佳	武汉工程大学湖北省等离子体化学与新材料重点实验室	4	2	1.0	1.0
4	张维	武汉工程大学湖北省等离子体化学与新材料重点实验室	2	0	0.0	0.0
5	皮晓强	武汉工程大学湖北省等离子体化学与新材料重点实验室	3	1	1.0	1.0
6	陈睿	武汉工程大学湖北省等离子体化学与新材料重点实验室	4	2	1.0	1.0