Fairchild新一代PowerTrenchMOSFET提供一流性能

• 来源期刊: 半导体信息
• 学科: 工学
• 关键词: FAIRCHILD VMOSFET 性能 产品组合 APEC N沟道 栅极
• 年，卷（期）: bdtxx,（2）
• 页码范围: 8-9
• 页数: 2页
• 分类号: TN957.324

摘要

新款100 VMOSFET问世，Fairchild极具开创性的PowerTrench MOS—FET产品组合又添新成员 Fairchild在2016年APEC上发布了新一代100VN沟道PowerMOSFET旗舰产品——FDMS86181IOOV屏蔽栅极PowerTrench MOSFET。