SiC GTO晶闸管技术现状及发展

• 作者: 张渊 李宗鉴 王俊 邓林峰
• 来源期刊: 大功率变流技术
• 学科: 工学
• 关键词: 碳化硅 门板可关断晶闸管 阻断电压 发射极关断晶闸管 载流子寿命
• 年，卷（期）: 2016,（5）
• 所属期刊栏目: 综述·评论
• 页码范围: 7-12,35
• 页数: 7页
• 分类号: TN34
• 语种: 中文
• DOI: 10.13889/j.issn.2095-3631.2016.05.100

摘要

近年来,基于宽禁带半导体材料碳化硅(SiC)的高压功率器件迅速发展.在SiC高压功率器件中,门板可关断晶闸管(GTO)具有高阻断电压、大电流、快速关断、低正向导通压降以及耐高温等优点.文章主要阐述了SiCGTO在衬底材料、外延材料、载流子寿命和阻断电压等方面近十几年的发展历程和现状;介绍了具有改良SiC GTO开关特性的碳化硅发射极关断晶闸管(SiC ETO)的特性及其结构和原理;分析了6 500V SiC ETO的正向导通特性和阻断特性,并通过实验验证了其快速关断特性.最后从器件及其应用的角度提出了SiC GTO晶闸管技术未来发展的方向.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王俊		14	16	3.0	3.0
2	李宗鉴		5	3	1.0	1.0
3	邓林峰		3	6	2.0	2.0
4	张渊		4	9	2.0	3.0