欧盟为5G打造III-V族CMOS技术

• 来源期刊: 半导体信息
• 学科: 工学
• 关键词: CMOS技术 欧盟 互补金属氧化物半导体 技术整合 纳米半导体 规格要求 雷达系统 III
• 年，卷（期）: bdtxx,（2）
• 页码范围: 19-20
• 页数: 2页
• 分类号: TN912.3

摘要

欧盟（E．U．）最近启动一项为期三年的“为下一代高性能CMOSSoC技术整合III—V族纳米半导体”（INSIGHT）研发计划，这项研发经费高达470万美元的计划重点是在标准的互补金属氧化物半导体（CMOS）上整合III-V族晶体管通道。其最终目的则在于符合未来的5G规格要求，以及瞄准频宽更广、影像解析度更高的雷达系统。