成功制备立式InSb二维单晶纳米片

• 来源期刊: 光学精密机械
• 学科: 工学
• 关键词: INSB 制备 纳米片 光电子器件 单晶 二维 立式 高电子迁移率
• 年，卷（期）: 2016,（2）
• 页码范围: 8-8
• 页数: 1页
• 分类号: TN215

摘要

在Ⅲ—Ⅴ族半导体中，InSb化合物具有最窄禁带宽度、最高电子迁移率、最小有效质量和最大g因子，是制备高速低功耗电子器件、红外光电子器件及进行自旋电子学研究与拓扑量子计算等前沿物理探索的理想材料。由于InSb具有晶格常数大以及固有的n型导电性特征，难以找到合适衬底外延生长，通常人们采用缓冲层技术。