ZrO2掺杂对于Gd+011 TSIG法制备单畴GdBCO超导块材的影响

• 作者: 亚库普·阿卜拉 张玲玲 杨万民 杨芃焘 苏晓晴
• 来源期刊: 低温物理学报
• 关键词: 单畴GdBCO超导块材 新顶部籽晶熔渗生长法 ZrO2掺杂 磁悬浮力 捕获磁通密度
• 年，卷（期）: 2016,（3）
• 页码范围: 61-66
• 页数: 6页
• 语种: 中文

摘要

ZrO2掺杂能够在GdBCO超导块材中生成细小的纳米Gd2Ba4ZrCuOy粒子,从而提高样品的磁通钉扎力.本文采用新的顶部籽晶熔渗生长法(Gd+011 TSIG)制备出了系列组份为(l-x)(Gd2O+1.2BaCuO2)+xZrO2的单畴GdBCO超导块材,x=0、0.02、0.04、0.05、0.06、0.08、0.1、0.15、0.2、0.3 wt.％,并研究了ZrO2掺杂量对样品的表面形貌、磁悬浮力、捕获磁通密度以及微观结构的影响.结果表明,样品的表面形貌与ZrO2的掺杂量密切相关,当x＜0.1 wt.％时样品表面光滑且具有明显的单畴特征;当0.1 wt.％≤x＜0.2 wt.％时,样品仍具有明显的单畴特征,只是单畴样品的表面出现凸起的规则台阶状的条纹;当x≥0.2 wt.％时,虽然样品仍具有明显的单畴特征,但样品的表面不仅出现了台阶状的条纹,而且样品已无法保持其原有的圆柱体形貌,并向柱体外侧突出成四个扇瓣状.样品的磁悬浮力和捕获磁通密度随着x增大呈先增大后减小趋势,当x=0.05 wt.％时磁悬浮力最大为36.57 N(77 K,0.5T),捕获磁通密度最大为0.32T(77 K,永磁体充磁).这些结果对进一步提高GdBCO超导块材的质量具有一定的指导意义.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨万民		48	104	6.0	8.0
2	张玲玲		11	25	3.0	4.0
3	杨芃焘		3	2	1.0	1.0
4	亚库普·阿卜拉		1	0	0.0	0.0
5	苏晓晴		1	0	0.0	0.0