一种新型低暗计数率单光子雪崩二极管的设计与分析

• 作者: 刘维辉 杨佳 杨红姣 汤丽珍 金湘亮
• 来源期刊: 红外与毫米波学报
• 学科: 工学
• 关键词: 单光子雪崩二极管(SPAD) 边缘击穿(PEB) 互补金属氧化物半导体(CMOS)
• 年，卷（期）: 2016,（4）
• 页码范围: 394-397
• 页数: 4页
• 分类号: TN313
• 语种: 中文
• DOI: 10.11972/j.issn.1001-9014.2016.04.003

摘要

基于0.18 μm互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器工艺提出一种新型的低暗计数率(DarkCount Rate)单光子雪崩二极管(SPAD)器件.该器件是利用P+/LNW (Light N-well doping)结检测光子,并通过低浓度的N型扩散圆形保护环抑制边缘击穿,确保其工作在盖格模式.测试结果表明在室温环境下,直径为8 μm的SPAD器件,雪崩击穿电压为14.2V,当过调电压设置为2V时,暗计数率为260 Hz,具有低的暗计数率特性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	金湘亮	湘潭大学物理与光电工程学院	50	124	6.0	8.0
5	杨红姣	湘潭大学物理与光电工程学院	9	39	4.0	6.0
9	杨佳	湘潭大学物理与光电工程学院	2	9	1.0	2.0
13	汤丽珍	湘潭大学物理与光电工程学院	1	9	1.0	1.0
17	刘维辉	湘潭大学物理与光电工程学院	1	9	1.0	1.0